SiC MOSFET 소자개발/ (3~ 11년) - 반도체(코스피) 모집부문 및 자격요건 모집부문 담당업무 자격요건 인원 SiC MOSFET 소자개발/ (3년 이상~ ) [담당업무] ㆍSiC MOSFET 소자개발 - Fab 공정 개발/Integration - Static & Dynamic Test 및 소자 전기적 특성 측정/분석 - 개발 Mask 제작, TEG layout [자격요건] ㆍ 학력: 국내외 4년제 학사 이상 ㆍ 전공: 전자/화학/물리/재료 등 반도체 관련 전공자 ㆍ Power Device/제품개발 경험 3년 이상~ [우대사항] ㆍ Fab Process Engineering 경험자 ㆍ Device Physics 교육 이수자 [기타사항] ㆍ 채용구분: 정규직 ㆍ근무지: 충북(음성)/기숙사 제공 ㆍ연봉: 매우 흡족하게 협의/ 역량 우수 하신분만 ㆍ문의: 010-7565-8488/
[email protected] 0 명 근무조건 고용형태: 정규직 급여조건: 연봉 협의 후 결정 전형단계 및 제출서류 전형단계: 서류전형 >; 면접진행 >; 최종심사 >; 최종합격 추가 제출서류 이력서, 자기소개서 접수방법 접수방법: 인크루트 채용시스템 접수양식: 인크루트 이력서, 자사양식, 자유양식 기타 유의사항 입사지원서 및 제출서류에 허위사실이 있을 경우 채용이 취소될 수 있습니다.
