[DB하이텍] 경력사원 공개 (8월)

디비하이텍
충청북도 음성

지금 지원하기

채용공고 세부정보

정규직
10시간 전

상세 직무 내용

(주)디비하이텍, 경력사원 공개채용 (주)디비하이텍이 8월 경력사원 공개채용을 통해 반도체 공정 및 소자 개발 분야를 중심으로 폭넓은 직무의 인력을 모집한다. 이번 채용은 Analog & Power IC 공정 및 소자 개발, GaN Process, IGBT 소자 및 공정개발, SJ MOSFET 소자 및 공정개발, 고전력 소자 TCAD, DRC/LVS/LPE 개발 및 고객 기술 지원, CVD 공정, ETCH 장비, Utility 설비 운영 및 유지보수, 전략기획 등 총 열 개 분야에서 진행된다. 파운드리 전문 기업으로서 아날로그와 전력반도체 기술력을 강점으로 삼아온 만큼, 관련 공정과 소자 개발 경력을 갖춘 인재들을 두루 찾는 채용이라 할 수 있다. 실제 업무를 들여다보면 각 분야마다 성격이 뚜렷하게 구분된다. Analog & Power IC 분야에서는 Si기반 Logic/Analog & Power IC 소자 및 공정을 개발하고, Design Rule을 결정하기 위한 TEG 제작, Lot Flow 및 전기적 특성 평가 업무를 수행하게 된다. GaN Process 직무는 GaN물질 기반 power device 향 Fab process 개발 및 평가 업무를 맡으며, IGBT와 SJ MOSFET 분야에서는 각각 Cell 및 Ring Design 설계 업무와 Test Pattern 설계, Full Process Integration 공정 개발을 담당한다. 이 외에도 DRC/LVS/LPE 개발 및 검증, CVD 공정의 수율 최적화, ETCH 장비의 Set Up과 유지보수, Clean Room 공조 등 Utility 설비 운영, 그리고 중장기 경영계획 수립과 시장 분석을 담당하는 전략기획까지 직무별로 실무 범위가 명확하게 나뉘어 있다. 지원 자격은 직무별로 상이한 편이다. Analog & Power IC 분야는 Si기반 반도체 공정/소자 개발 경력 만 5년 이상을 요구하며, IGBT는 Power Device/제품개발 경력 2년 이상(석사), 4년 이상(학사)을 필요로 한다. SJ MOSFET은 같은 경력 기준으로 3년 이상(석사), 5년 이상(학사)을, 고전력 소자 TCAD는 석사 학위 이상과 반도체 BEOL 관련 Simulation 경력 만 2년 이상을 요구한다. DRC/LVS/LPE 직무는 Calibre DRC/LVS/LPE 개발 업무 경력 3년 이상(석사), 5년 이상(학사)이 필요하며, CVD 공정은 Fab 또는 장비제조사 CVD 공정 경력 만 3년 이상과 학사 학위 이상을 요구한다. Utility 설비 운영 직무는 학사 학위 보유자로서 관련 경력 5년 이상과 공조냉동기계기사 자격증을 필요로 하며, 전략기획은 기획 업무 만 3년 이상 경력과 반도체 산업 경험, 글로벌 역량을 갖춘 인재를 찾는다. 우대사항으로는 SOI wafer 기반 Power IC 공정 개발 경력자, GaN device design 및 평가 경험자, 반도체 관련 학과 전공자, 컨설팅회사 경력자 등이 각 분야별로 제시되어 있다. 근무지는 충북 음성과 경기 부천 두 곳으로 나뉜다. Analog & Power IC, GaN Process, CVD 공정, ETCH 장비, Utility 설비 운영 직무는 충북 음성에서 근무하며, IGBT, SJ MOSFET, 고전력 소자 TCAD, DRC/LVS/LPE, 전략기획 직무는 경기 부천에서 근무하게 된다. 자세한 내용은 '(주)디비하이텍'의 홈페이지에서 확인할 수 있다.

지금 지원하기

구직자 도구

기업회원 도구

찾아보기

연결 상태 유지하기